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PDTC123JU115

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    PDTC123JU115

    PDTC123JU115

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • BRT TRANSISTOR NPN 50V 100MA 2.2KOHM
PDTC123JU115 技術參數
  • PDTC123JU,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,10V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:SOT-323-3 標準包裝:1 PDTC123JT,235 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:PDTC123 標準包裝:1 PDTC123JT,215 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 基本零件編號:PDTC123 標準包裝:1 PDTC123JM,315 功能描述:TRANS NPN W/RES 50V SOT-883 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:Digi-Key 停止供應 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1):2.2 kOhms 電阻器 - 發射極基底(R2):47 kOhms 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:DFN1006-3 基本零件編號:PDTC123 標準包裝:1 PDTC123JE,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW SC75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):2.2k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):47k 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):100mV @ 250μA,5mA 電流 - 集電極截止(最大值):1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:150mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:SC-75 標準包裝:1 PDTC123YMB,315 PDTC123YS,126 PDTC123YT,215 PDTC123YU,115 PDTC124EE,115 PDTC124EK,115 PDTC124EM,315 PDTC124EMB,315 PDTC124EQAZ PDTC124ES,126 PDTC124ET,215 PDTC124ET,235 PDTC124EU,115 PDTC124EU,135 PDTC124TE,115 PDTC124TK,115 PDTC124TM,315 PDTC124TMB,315
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