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參數資料
| 型號： | IRFZ24NSPBF |
| 廠商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件頁數： | 5/10頁 |
| 文件大小： | 159K |
| 代理商： | IRFZ24NSPBF |
IRFZ24NS/L
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
10V
+
-
V
DD
25
50
75
100
125
150
175
0
4
8
12
16
20
T , Case Temperature
(°
I
D
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T
t / t
x Z
=P
+ T
2
J
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRFZ24NS | 55V,17A,N-Channel HEXFET Power MOSFET(55V,17A,N溝道 HEXFET功率MOS場效應管) |
| IR | EM56/57 - Speech & Music Synthesizer - Application Note - Application Note |
| IS-040-E-LN7 | Optoelectronic |
| IS-1 | One Channel/ ISD-1 Two Channel/ ISQ-1 Four Channel Optically Coupled Isolat |
| IS-201 | One Channel/ ISD-201 Two Channel/ ISQ-201 Four Channel: Optically Coupled |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| IRFZ24PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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