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PIP3118-B.

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制造商
NXP Semiconductors
功能描述
MOSFET N INTELLIGENT

PIP3118-B. 技術參數

PIP3115-B,118 功能描述:MOSFET TAPE13 TOPFET2 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube PIP3107-D,118 功能描述:TOPFET LOGIC LVL 50V DPAK RoHS:是類別:集成電路 (IC) >> PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 內部開關系列:TOPFET™ 標準包裝:1,000 系列:- 類型:高端/低端驅動器輸入類型:SPI 輸出數:8 導通狀態電阻:850 毫歐，1.6 歐姆電流 - 輸出 / 通道:205mA，410mA 電流 - 峰值輸出:500mA，1A 電源電壓:9 V ~ 16 V 工作溫度:-40°C ~ 150°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）供應商設備封裝:PG-DSO-20-45 包裝:帶卷 (TR) PIP3105-P,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube PIP3104-P,127 功能描述:MOSFET RAIL TOPFET2 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube PIP3103-T,115 功能描述:MOSFET TAPE-7 TOPFET2 RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube PIP500 PIP60 PIP8.4 PIPA08E20200111G PIPD15502001111 PIPDD20ECO51111G PIPDD20ECO61111G PIPT PIRD20.241 PIR-GEVB PIS-0008 PIS-0009 PIS-0011 PIS-0020 PIS-0024 PIS-0026 PIS-0027 PIS-0028