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PMBFJ113215

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  • PMBFJ113215
    PMBFJ113215

    PMBFJ113215

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4000

  • Philips

  • 標(biāo)準(zhǔn)封裝

  • 09/10+

  • -

  • 全新原裝100%正品保證質(zhì)量

  • PMBFJ113215
    PMBFJ113215

    PMBFJ113215

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
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    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號(hào)和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 4000

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  • 制造商
  • Rochester Electronics LLC
  • 功能描述
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 功能描述
  • JFET RF N CH 300MW SOT-23-
  • 制造商
  • NXP
  • 功能描述
PMBFJ113215 技術(shù)參數(shù)
  • PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:2mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:100 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ112,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:5mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:5V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:50 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ111,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:40V 漏源極電壓（Vdss）:40V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:20mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:10V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:30 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ110,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:10mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:4V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:18 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ109,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿（V（BR）GSS）:25V 漏源極電壓（Vdss）:25V 不同 Vds（Vgs=0）時(shí)的電流 - 漏極（Idss）:40mA @ 15V 漏極電流（Id） - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止（VGS 關(guān)）:6V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:30pF @ 10V（VGS） 電阻 - RDS（開(kāi)）:12 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23（TO-236AB） 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBS3904,235 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215
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