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PMBFJ174B

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  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82813018

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

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PMBFJ174B 技術(shù)參數(shù)
  • PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):5V @ 10nA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):85 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ113,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):3V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):100 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ112,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):5V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):50 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ111,215 功能描述:JFET N-CH 40V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):40V 漏源極電壓(Vdss):40V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):10V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):6pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):30 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBFJ110,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時(shí)的電流 - 漏極(Idss):10mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):4V @ 1μA 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):30pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開(kāi)):18 歐姆 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMBS3906,215 PMBS3906,235 PMBT2222,215 PMBT2222,235 PMBT2222A,215 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235
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