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PMBFJ309+215

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  • PMBFJ309+215
    PMBFJ309+215

    PMBFJ309+215

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • NXP

  • 803

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • PMBFJ309+215
    PMBFJ309+215

    PMBFJ309+215

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503

    資質:營業執照

  • 200

  • NXP

  • SOT23

  • 0803+

  • -
  • 原裝現貨/特價

  • PMBFJ309+215
    PMBFJ309+215

    PMBFJ309+215

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 1000

  • NXP

  • SOT23

  • 0803+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
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PMBFJ309+215 技術參數
  • PMBFJ309,215 功能描述:JFET N-CH 25V 250MW SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:N 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):25V 漏源極電壓(Vdss):25V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):12mA @ 10V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 1μA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5pF @ 10V 電阻 - RDS(開):50 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:250mW 標準包裝:1 PMBFJ177,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):1.5mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):800mV @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):300 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBFJ176,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):2mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):1V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):250 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBFJ175,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):7mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):3V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):125 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBFJ174,215 功能描述:JFET P-CH 30V 0.3W SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:P 溝道 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS):30V 漏源極電壓(Vdss):30V 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss):20mA @ 15V 漏極電流(Id) - 最大值:- 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關):5V @ 10nA 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):8pF @ 10V(VGS) 電阻 - RDS(開):85 歐姆 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23(TO-236AB) 功率 - 最大值:300mW 標準包裝:1 PMBT2222A,235 PMBT2222AYSX PMBT2369,215 PMBT2369,235 PMBT2907,215 PMBT2907A,215 PMBT2907A,235 PMBT2907A/DLTR PMBT2907A/MIGR PMBT2907A/MIGVL PMBT2907AYSX PMBT3904,215 PMBT3904,235 PMBT3904/8,215 PMBT3904M,315 PMBT3904MB,315 PMBT3904VS,115 PMBT3904YS,115
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