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PMR40CAL19.75

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  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • Pre-Cut Cover To Be Used With PMR40 Raceway For Mounting Devices On 24
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • PMR40 PRE CUT METAL COVER 19.75" - Bulk
  • 制造商
  • Panduit Corp
  • 功能描述
  • PMR40 PRE CUT METAL COVER 19.75
PMR40CAL19.75 技術(shù)參數(shù)
  • PMR400UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.8A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):800mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):480 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):43pF @ 25V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR370XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 0.84A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):840mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):440 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):37pF @ 25V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR290XN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.97A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):970mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):350 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.72nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):34pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR290UNE,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 700MA SC-75 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):700mA(Ta) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 500mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):950mV @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.68nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):83pF @ 10V 功率 - 最大值:250mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR280UN,115 功能描述:MOSFET N-CH 20V 0.98A SOT416 制造商:nxp semiconductors 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):980mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):340 毫歐 @ 200mA,4.5V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):0.89nC @ 4.5V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):45pF @ 20V 功率 - 最大值:530mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應(yīng)商器件封裝:SC-75 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PMR4ADW6.0 PMR4ADW6.0-CC PMR4BWD PMR4BWDW6.0 PMR4GD PMR4GDW4.0-CC PMR4GDW6.0 PMR4GDW6.0-CC PMR4HD PMR4HDW6.0 PMR4PGD PMR4PGDW2.0 PMR4PGDW6.0 PMR4PGDW6.0-CC PMR4RD PMR4RDW2.0 PMR4RDW6.0 PMR-4V320WCAA
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