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PMV185XN215

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PMV185XN215 技術參數

PMV185XN,215 功能描述:MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1.1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.3nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:76pF @ 15V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PMV170UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1A TO-236AB 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:1.65nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:83pF @ 10V 功率 - 最大值:325mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PMV16XNR 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.8A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:900mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:20.2nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1240pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:510mW（Ta）, 6.94W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:20 毫歐 @ 6.8A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV16UN,215 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.8A SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.8A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 5.8A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:670pF @ 10V 功率 - 最大值:510mW 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）標準包裝:1 PMV160UP,215 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.2A TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.2A（Ta）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:950mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:4nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±8V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:365pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:335mW（Ta），2.17W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:210 毫歐 @ 1.2A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:TO-236AB（SOT23）封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 標準包裝:1 PMV230ENEAR PMV2-35RB-3K PMV2-3FB-3K PMV2-3FB-C PMV2-3RB-3K PMV2-3RB-C PMV2-3RB-X PMV2-4FB-3K PMV2-4FB-C PMV2-4RB-3K PMV2-4RB-C PMV2-4RB-X PMV250EPEAR PMV25ENEAR PMV2-5FB-3K PMV2-5FB-C PMV2-5RB-3K PMV2-5RB-C