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PSMN9R0-30YL,115

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說(shuō)明
  • 操作
  • PSMN9R0-30YL,115
    PSMN9R0-30YL,115

    PSMN9R0-30YL,115

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號(hào)華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • NXP/恩智浦

  • LFPAK

  • 22+

  • -

  • 每一片都來(lái)自原廠，正品保證

  • PSMN9R0-30YL,115
    PSMN9R0-30YL,115

    PSMN9R0-30YL,115

  • 標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司
    標(biāo)準(zhǔn)國(guó)際(香港)有限公司

    聯(lián)系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強(qiáng)廣場(chǎng)2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北路賽格廣場(chǎng)58樓5813室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 1500

  • NXP

  • 2014+

  • -

  • 公司現(xiàn)貨!只做原裝!

  • PSMN9R0-30YL,115
    PSMN9R0-30YL,115

    PSMN9R0-30YL,115

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：駱小姐

    電話：18124020586

    地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號(hào)星河world， A棟2203A

  • 93692

  • NXP USA Inc.

  • SC-100, SOT-669

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • PSMN9R0-30YL,115
    PSMN9R0-30YL,115

    PSMN9R0-30YL,115

  • 深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/曹先生/高先生

    電話：137602720171348786585218520805148

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號(hào)星河WORLDA2203A室

  • 3683

  • NXP USA Inc.

  • SC-100, SOT-669

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

  • 1/1頁(yè) 40條/頁(yè) 共15條 
  • 1
PSMN9R0-30YL,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
PSMN9R0-30YL,115 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN9R0-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1193pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333（3.3x3.3） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R0-25YLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 46A LL LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅(qū)動(dòng) 漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:46A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:9.1 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:694pF @ 12V 功率 - 最大值:34W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100，SOT-669，4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK， 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R0-25MLC,115 功能描述:MOSFET N-CH 25V 55A LFPAK33 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:55A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:1.95V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:11.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:705pF @ 12.5V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:45W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.65 毫歐 @ 15A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK33 封裝/外殼:SOT-1210，8-LFPAK33（5 根引線） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN8R7-80PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 80V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3346pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN8R7-80BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET（金屬氧化物） 漏源電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:90A（Tc） 驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）:3346pF @ 40V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:170W（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:8.7 毫歐 @ 10A，10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PS-MP PSMP-FSBA-1000 PSMP-FSBA-1042 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS
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免責(zé)聲明：以上所展示的PSMN9R0-30YL,115信息由會(huì)員自行提供，PSMN9R0-30YL,115內(nèi)容的真實(shí)性、準(zhǔn)確性和合法性由發(fā)布會(huì)員負(fù)責(zé)。買賣IC網(wǎng)不承擔(dān)任何責(zé)任。

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