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PSMN9R5-100PS/XS/BS

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
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    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • NXP

  • TO-220ABTO-220F

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PSMN9R5-100PS/XS/BS 技術(shù)參數(shù)
  • PSMN9R5-100PS,127 功能描述:MOSFET N-CH 100V TO220AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):89A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):82nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.6 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 封裝/外殼:TO-220-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 PSMN9R5-100BS,118 功能描述:MOSFET N-CH 100V 89A D2PAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):89A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):82nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):4454pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):211W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.6 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R1-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 57A LFPAK 制造商:nexperia usa inc. 系列:TrenchMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):57A(Tc) 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):16.7nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):894pF @ 15V FET 功能:- 功率耗散(最大值):52W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9.1 毫歐 @ 15A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK56,Power-SO8 封裝/外殼:SC-100,SOT-669 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R0-30YL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V 61A LFPAK 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):61A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):17.8nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1006pF @ 12V 功率 - 最大值:46W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK 供應(yīng)商器件封裝:LFPAK, 電源-SO8 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMN9R0-30LL,115 功能描述:MOSFET N-CH 30V QFN3333 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門(mén) 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):21A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):9 毫歐 @ 5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.15V @ 1mA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):20.6nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1193pF @ 15V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:8-VDFN 裸露焊盤(pán) 供應(yīng)商器件封裝:8-DFN3333(3.3x3.3) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 PSMP-FSBA-1175 PSMP-FSBA-1755 PSMP-FSBA-1970 PSMP-FSBA-2380 PSMP-FSBA-2580 PSMP-MSLD-CSB PSMP-MSLD-PCE PSMP-MSLD-PCS PSMP-MSLD-PCSEM PSMP-MSLD-PCT1R PSMP-MSLD-PCT25 PSMP-MSLD-PCT35 PSMP-MSLD-PCTEM PSMP-MSSB-CSB PSMP-MSSB-PCS PSMP-MSSB-PCT1R PSMP-MSSB-PCT35 PSM-P-Y
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