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PUMD12/D1T

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型號
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封裝
批號
價格
說明
操作

PUMD12/D1T
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
PHILIPS
SOT-363
2011
-
全新原裝100%正品保證質量

PUMD12/D1T
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
PHILIPS
SOT-363
15+
-
百分百原裝質量保障

PUMD12/D1T
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
4000
PHILIPS
SOT-363
2011
-
全新原裝100%正品保證質量

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您是不是要找： PUMD12/DG/B3,115 PUMD13,115 PUMD13,135 PUMD14,115 PUMD15,115 PUMD15,135 PUMD16,115 PUMD16/ZLX PUMD17,115

PUMD12/D1T PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PUMD12/D1T 技術參數

PUMD12,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:230MHz，180MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MD12 標準包裝:1 PUMD10,115 功能描述:TRANS NPN/PNP PREBIAS 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:2.2 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MD10 標準包裝:1 PUMB3,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMB2,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:47 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:MB2 標準包裝:1 PUMB13,115 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 10mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMD18,115 PUMD19,115 PUMD2,115 PUMD2,125 PUMD2,165 PUMD2/DG/B3,115 PUMD2/DG/B3,135 PUMD20,115 PUMD24,115 PUMD3,115 PUMD3,125 PUMD3,135 PUMD3,165 PUMD30,115 PUMD4,115 PUMD48,115 PUMD48,125 PUMD48,165