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PUMH10(HT0)

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PUMH10(HT0)
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
19875
PHILIPS
SOT363
2024+
-
絕對現貨

1/1頁 40條/頁共3條
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PUMH10(HT0) PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

PUMH10(HT0) 技術參數

PUMH1,115 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:22 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:22 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA 頻率 - 躍遷:230MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MH1 標準包裝:1 PUMF12,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:最後搶購晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，40V 電阻器 - 基底（R1）:22 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMF11,115 功能描述:TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:Digi-Key 停止供應晶體管類型:1 NPN 預偏壓式，1 PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V，40V 電阻器 - 基底（R1）:22 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:80 @ 5mA，5V / 120 @ 1mA，6V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:150mV @ 500μA，10mA / 200mV @ 5mA，50mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 標準包裝:1 PUMD9,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:10 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:47 千歐不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MD9 標準包裝:1 PUMD6,115 功能描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP 6TSSOP 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售晶體管類型:1 個 NPN，1 個 PNP - 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）:4.7 千歐電阻器 - 發射極基底（R2）:- 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:200 @ 1mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:100mV @ 250μA，5mA 電流 - 集電極截止（最大值）:1μA 頻率 - 躍遷:- 功率 - 最大值:300mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-TSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:6-TSSOP 基本零件編號:P*MD6 標準包裝:1 PUMH16,115 PUMH17,115 PUMH17F PUMH18,115 PUMH19,115 PUMH2,115 PUMH2/DG/B3,115 PUMH20,115 PUMH24,115 PUMH2F PUMH30,115 PUMH4,115 PUMH7,115 PUMH7F PUMH9,115 PUMH9,125 PUMH9,135 PUMH9,165