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S-8642AWI

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S-8642AWI 技術參數
  • S85YR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.6KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1600V(1.6kV) 電流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 S85VR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.4KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1400V(1.4kV) 電流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 150°C 標準包裝:5 S85QR 功能描述:DIODE GEN PURP REV 1.2KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準型, 反極性 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S85Q 功能描述:DIODE GEN PURP 1.2KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1200V(1.2kV) 電流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S85M 功能描述:DIODE GEN PURP 1KV 85A DO5 制造商:genesic semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):1000V(1kV) 電流 - 平均整流(Io):85A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.1V @ 85A 速度:標準恢復 >500ns,> 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):- 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 100V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:底座,接線柱安裝 封裝/外殼:DO-203AB,DO-5,接線柱 供應商器件封裝:DO-5 工作溫度 - 結:-65°C ~ 180°C 標準包裝:5 S8658PL12RTNF S8658PL180RTN S8658PL240RTN S8658PL360SMM S8658PL96RTN S8658PLT-42RTNM S8658PLT-61RTNM S8658PR120RSM S8658PR180RTN S8658PR240RTN S8658PR360SMM S8658PR96RTN S8658WPL12NF S8658WPL12RTN S8658WPL240RTN S8658WPL24NF S8658WPL-30RSMM S8658WPL36SMM
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