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SCT35A12L04

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SCT35A12L04 技術參數

SCT30N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:105nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 400V 功率 - 最大值:270W 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT20N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 400V 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT10N120 功能描述:MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:* 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:* 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:* 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT1/0-1/0 功能描述:CONN T-SPLICE TAP 1/0 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:Pan-Lug? 包裝:散裝零件狀態:在售端子類型:T 接頭，凸片進線數:3 端接:壓接線規:1/0 AWG 絕緣:非絕緣特性:- 顏色:- 標準包裝:1 SCSS6-L 功能描述:CONN BUTT SPLICE 6 AWG CRIMP 制造商:panduit corp 系列:- 包裝:散裝零件狀態:在售端子類型:對接接頭，直插式，單獨開口進線數:2 端接:壓接線規:6 AWG 絕緣:非絕緣特性:- 顏色:藍色標準包裝:1 SCT48 SCT48/R SCT500-4/0 SCT500-500 SCT50N120 SCT601NONROHS SCT62 SCT63 SCT64 SCT65 SCT66 SCT67 SCT68 SC-T8J SC-T8J-P SCTH2010-100 SCTH2010-150 SCTH2010-1R0