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SCT43

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

SCT43
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

SCT43
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
TDK-Lambda Americas Inc.
原廠封裝
16+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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SCT43 PDF下載

功能描述
線性和開關式電源 40W 5V 12V 5A
RoHS
否
制造商
TDK-Lambda
產品
Switching Supplies
開放式框架/封閉式
Enclosed
輸出功率額定值
800 W
輸入電壓
85 VAC to 265 VAC
輸出端數量
1
輸出電壓（通道 1）
20 V
輸出電流（通道 1）
40 A
商用/醫用
輸出電壓（通道 2）
輸出電流（通道 2）
安裝風格
Rack
長度
寬度
高度

SCT43 技術參數

SCT42 功能描述:AC/DC CONVERTER 5V +/-12V 40W 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:SC40 零件狀態:有效類型:開放框架輸出數:3 電壓 - 輸入:85 ~ 265 VAC 電壓 - 輸出 1:5V 電壓 - 輸出 2:12V 電壓 - 輸出 3:-12V 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:4A，2A，500mA 功率（W）:40W（55W 強制風冷）應用:ITE（商業）電壓 - 隔離:4.3kV（4300V）效率:70% 工作溫度:0°C ~ 70°C（有降額）特性:可調輸出，通用輸入安裝類型:底座安裝大小/尺寸:5.00" 長 x 3.00" 寬 x 1.00" 高（127.0mm x 76.2mm x 25.4mm）所需最小負載:是認可:CE 功率（W） - 最大值:40W 標準包裝:1 SCT401 功能描述:AC/DC CONVERTER 3.3V 5V 12V 40W 制造商:tdk-lambda americas inc. 系列:SC40 零件狀態:過期類型:開放框架輸出數:3 電壓 - 輸入:85 ~ 265 VAC 電壓 - 輸出 1:3.3V 電壓 - 輸出 2:5V 電壓 - 輸出 3:12V 電壓 - 輸出 4:- 電流 - 輸出（最大值）:4A，2A，500mA 功率（W）:40W（55W 強制風冷）應用:ITE（商業）電壓 - 隔離:4.3kV（4300V）效率:70% 工作溫度:0°C ~ 70°C（有降額）特性:可調輸出，通用輸入安裝類型:底座安裝大小/尺寸:5.00" 長 x 3.00" 寬 x 1.00" 高（127.0mm x 76.2mm x 25.4mm）所需最小負載:是認可:CE 功率（W） - 最大值:40W 標準包裝:1 SCT30N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:40A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:100 毫歐 @ 20A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.6V @ 1mA（標準）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:105nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 400V 功率 - 最大值:270W 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT20N120 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:290 毫歐 @ 10A，20V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:650pF @ 400V 功率 - 最大值:175W 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT10N120 功能描述:MOSFET N-CH 1.2KV TO247-3 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:新產品 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:碳化硅（SiC）漏源極電壓（Vdss）:1200V（1.2kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:* 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:* 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:* 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 200°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-247-3 供應商器件封裝:HiP247? 標準包裝:30 SCT601NONROHS SCT62 SCT63 SCT64 SCT65 SCT66 SCT67 SCT68 SC-T8J SC-T8J-P SCTH2010-100 SCTH2010-150 SCTH2010-1R0 SCTH2010-1R5 SCTH2010-220 SCTH2010-2R2 SCTH2010-2R7 SCTH2010-3R3