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SD10G3/8GB

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SD10G3/8GB 技術參數
  • SD10-8R2-R 功能描述:8.2μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 260.7 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.2μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:800mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):260.7 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 SD10-6R2-R 功能描述:6.2μH Shielded Wirewound Inductor 940mA 218 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.2μH 容差:±20% 額定電流:940mA 電流 - 飽和值:920mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):218 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 SD10-4R7-R 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.04A 153.5 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.04A 電流 - 飽和值:1.08A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):153.5 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 SD10-4R7 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 1.04A 153.5 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:1.04A 電流 - 飽和值:1.08A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):153.5 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 SD10-3R3-R 功能描述:3.3μH Shielded Wirewound Inductor 1.24A 107.8 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.3μH 容差:±20% 額定電流:1.24A 電流 - 飽和值:1.31A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):107.8 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.039"(1.00mm) 標準包裝:1 SD10-R47-R SD1101002-11 SD-110-G-2 SD-110-T-2 SD-1110 SD-1111 SD112-42-11-221 SD112-43-11-221 SD112-45-11-221 SD1127 SD-112-G-2 SD-112-T-38 SD-1130 SD-1131 SD113-24-21-021 SD113E SD1143-01 SD118-23-21-021
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