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SD1496-3

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SD1496-3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • MICROSEMI
  • 制造商全稱
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • RF & MICROWAVE TRANSISTORS 900-960 MHz CLASS C BASE STATIONS
SD1496-3 技術參數
  • SD14-8R8-R 功能描述:8.8μH Shielded Wirewound Inductor 1.14A 191.3 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:8.8μH 容差:±20% 額定電流:1.14A 電流 - 飽和值:1.25A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):191.3 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 SD1477 功能描述:TRANSISTOR NPN RF BIPO VHF 6LEAD 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):18V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:6dB 功率 - 最大值:270W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20A 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:M111 供應商器件封裝:M111 標準包裝:25 SD14-6R9-R 功能描述:6.9μH Shielded Wirewound Inductor 1.35A 136.3 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:6.9μH 容差:±20% 額定電流:1.35A 電流 - 飽和值:1.41A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):136.3 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 SD14-4R5-R 功能描述:4.5μH Shielded Wirewound Inductor 1.64A 93.5 mOhm Nonstandard 制造商:eaton 系列:SD 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.5μH 容差:±20% 額定電流:1.64A 電流 - 飽和值:1.74A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):93.5 毫歐 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-40°C ~ 85°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.204" 長 x 0.204" 寬(5.20mm x 5.20mm) 高度 - 安裝(最大值):0.057"(1.45mm) 標準包裝:1 SD1446 功能描述:TRANSISTOR NPN RF BIPO UHF M113 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):18V 頻率 - 躍遷:- 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):- 增益:10dB 功率 - 最大值:183W 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10 @ 5A,5V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):12A 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:M113 供應商器件封裝:M113 標準包裝:25 SD150R20PC SD1510 SD152 SD1526-01 SD1536-08 SD153N08S10PV SD153R08S10PV SD-15A-05 SD-15A-12 SD-15A-24 SD-15A-5 SD-15B-05 SD-15B-12 SD-15B-24 SD-15B-5 SD15C.TCT SD15C-01FTG SD-15C-05
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