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SDP8406-003.

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制造商
Honeywell Sensing and Control
功能描述
PHOTOTRANSISTOR

SDP8406-003. 技術參數

SDP8406-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔，直角朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8406-002 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3.6mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔，直角朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8405-014 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1.85mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:20° 功率 - 最大值:70mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8405-013 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:0.92mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:20° 功率 - 最大值:70mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8405-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:24mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:20° 功率 - 最大值:70mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向，3mm 直徑（T-1）標準包裝:1 SDP8600-002 SDP8600-003 SDP8601-001 SDP8601-002 SDP8601-003 SDP8602-001 SDP8602-003 SDP8604-301 SDP8610-001 SDP8610-002 SDP8610-003 SDP8611-001 SDP8611-002 SDP8611-003 SDP8614-301 SDP-FMC-IB1Z SDP-FPGA-FA1Z SDPGB0015PG5