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SDP8436-3TR

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

SDP8436-3TR
深圳市興合盛科技發展有限公司
深圳市興合盛科技發展有限公司
聯系人：銷售部經理：馬先生
電話：0755-8335078918923859456
地址：深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石
資質：營業執照
566
Honeywell
標準封裝
23+
-
真實的資源竭誠服務您！

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1

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功能描述
光電晶體管 Infrared Sensors
RoHS
否
制造商
OSRAM Opto Semiconductors
最大功率耗散
165 mW
最大暗電流
200 nA
封裝 / 箱體
T-1

SDP8436-3TR 技術參數

SDP8436-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:17mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:880nm 視角:18° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔，直角朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8436-002 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:* 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:880nm 視角:18° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔，直角朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8407-001 功能描述:PHOTOTRANSISTR SILICON NPN 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:880nm 視角:135° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔朝向:頂視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8406-004 功能描述:PHOTOTRANSISTOR SILICON NPN T-1 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:- 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔，直角朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8406-003 功能描述:PHOTOTRANSISTOR NPN SIDE LOOK 制造商:honeywell sensing and productivity solutions 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6.5mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:935nm 視角:50° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔，直角朝向:側視圖工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）封裝/外殼:徑向標準包裝:1 SDP8602-003 SDP8604-301 SDP8610-001 SDP8610-002 SDP8610-003 SDP8611-001 SDP8611-002 SDP8611-003 SDP8614-301 SDP-FMC-IB1Z SDP-FPGA-FA1Z SDPGB0015PG5 SDPGB0030PG5 SDPGB0100PG5 SDPGB0200PG5 SDPGB0300PG5 SDPGB0500PG5 SDPGB1000PG5