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SI3872DV-T1

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

SI3872DV-T1-E3
深圳市大源實業科技有限公司
深圳市大源實業科技有限公司
聯系人：李女士
電話：1530261991513762584085
地址：深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室
45800
VISHAY
SOT23-6
24+
-
原裝，公司部分現貨，有單來談QQ:161...

SI3872DV-T1-E3
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
VISHAY
原廠封裝
08/09+
-

SI3872DV-T1
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
10000
VISHAY
TSOP-6
15+
-
原裝正品，假一罰十

SI3872DV-T1
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
VISHAY
原裝現貨清倉!!
02+
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

您是不是要找： SI3879DV-T1-E3 SI3879DV-T1-GE3 SI3900DV-T1-E3 SI3900DV-T1-GE3 SI3905DV-T1-E3 SI3905DV-T1-GE3 SI3909DV-T1-E3 SI3909DV-T1-GE3 SI3911DV-T1-E3

SI3872DV-T1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

SI3872DV-T1 PDF下載

功能描述
MOSFET 30/-20V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

SI3872DV-T1 技術參數

SI3865DDV-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W SI3865CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm RoHS:否制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3932DV-T1-GE3 SI3948DV-T1-E3 SI3948DV-T1-GE3 SI3951DV-T1-E3 SI3951DV-T1-GE3 SI3981DV-T1-E3 SI3981DV-T1-GE3 SI3983DV-T1-E3 SI3983DV-T1-GE3 SI3993CDV-T1-GE3 SI3993DV-T1-E3 SI3993DV-T1-GE3 SI4004DY-T1-GE3 SI4010-B1-GS SI4010-B1-GT SI4010-C2-GS SI4010-C2-GSR SI4010-C2-GT