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SI3963-KU

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  • 型號
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  • 封裝
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  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • SI3963-KU
    SI3963-KU

    SI3963-KU

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 19875

  • SI

  • SMD20

  • 2025+

  • -
  • 代理原裝現貨假一賠十

  • SI3963-KU
    SI3963-KU

    SI3963-KU

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 5000

  • SI

  • SSOP

  • 08+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • SI3963-KU
    SI3963-KU

    SI3963-KU

  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

  • 10000

  • SILICON

  • SSOP

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共17條 
  • 1
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SI3963-KU 技術參數
  • SI3865DDV-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:CNAD SWITCH WITH LEVEL-SHIFT - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:IC LOAD SWITCH LVL SHIFT 6TSOP 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Dual N / P-Channel 12 V 0.054 O Surface Mount Mosfet Load Switch - TSOP-6 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Power Switch ICs - Power Distribution 12V 2.8A .83W SI3865CDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 2.8A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865CDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 1.8-12V 2.8A 1.5-8V Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-GE3 功能描述:MOSFET 8.0V 2.9A 0.83W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI3865BDV-T1-E3 功能描述:MOSFET 8V 2.9A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube SI4010-B1-GT SI4010-C2-GS SI4010-C2-GSR SI4010-C2-GT SI4010-C2-GTR SI4010DY-T1-GE3 SI4011-C2-GT SI4011-CC-GT SI4011-CC-GTR SI4012-A0-GT SI4012-C1001GT SI4012-C1001GTR SI-40131 SI-40138 SI-40141 SI-40143 SI-40144 SI4020-I1-FT
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