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SI7136DP-T1-GE3

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  • SI7136DP-T1-GE3
    SI7136DP-T1-GE3

    SI7136DP-T1-GE3

  • 深圳市芯脈實業有限公司
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    聯系人:周小姐/曹先生/高先生

    電話:137602720171348786585218520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 22114

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  • SI7136DP-T1-GE3
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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
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    聯系人:雷春艷

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    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 7505

  • VISHAY

  • QFN-8

  • 13+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
SI7136DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 20V 30A 39W 3.2mohm @ 10V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SI7136DP-T1-GE3 技術參數
配單專家

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