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SID303EBTP18

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    SID303EBTP18

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

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    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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SID303EBTP18 技術參數
  • SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 技術:磁耦合 通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時間(典型值):90ns,81ns 電流 - 輸出高,低:3.6A,4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件 零件狀態:在售 技術:磁耦合 通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時間(典型值):90ns,81ns 電流 - 輸出高,低:3.6A,4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:48 SID1152K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 技術:磁耦合 通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度(最小值):- 傳播延遲 tpLH / tpHL(最大值):340ns,330ns 脈寬失真(最大):- 上升/下降時間(典型值):225ns,225ns(最大) 電流 - 輸出高,低:2.4A,2.6A 電流 - 峰值輸出:5A 電壓 - 正向(Vf)(典型值):- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-PowerSOIC(0.350",8.89mm 寬),15 引線 供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SIDC03D120H6X1SA3 SIDC03D60C6 SIDC03D60C6X1SA2 SIDC03D60F6 SIDC03D60F6X1SA2 SIDC04D60F6 SIDC04D60F6X1SA3 SIDC05D60C6 SIDC05D60C6X1SA2 SIDC06D120E6 SIDC06D120E6X1SA3 SIDC06D120F6 SIDC06D120F6X1SA2 SIDC06D120H6 SIDC06D120H6X1SA4 SIDC06D60AC6 SIDC06D60AC6X1SA1 SIDC06D60C6
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