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SMBZ1105LT1

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SMBZ1105LT1 技術參數
  • SMBYW04-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 4A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):4A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.25V @ 12A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB,SMC 供應商器件封裝:SMC(DO-214AB) 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 SMBYW02-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 2A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):2A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.25V @ 6A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMB(DO-214AA) 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 SMBYW01-200 功能描述:DIODE GEN PURP 200V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):200V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):900mV @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):35ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:3μA @ 200V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMB(DO-214AA) 工作溫度 - 結:150°C(最大) 標準包裝:1 SMBYT03-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 3A SMC 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):3A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 3A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AB,SMC 供應商器件封裝:SMC 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 SMBYT01-400 功能描述:DIODE GEN PURP 400V 1A SMB 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 二極管類型:標準 電壓 - DC 反向(Vr)(最大值):400V 電流 - 平均整流(Io):1A 不同 If 時的電壓 - 正向(Vf):1.5V @ 1A 速度:快速恢復 = 200mA(Io) 反向恢復時間(trr):60ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:10μA @ 400V 不同?Vr,F 時的電容:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:DO-214AA,SMB 供應商器件封裝:SMB 工作溫度 - 結:-40°C ~ 150°C 標準包裝:1 SMBZ5920B-E3/52 SMBZ5920B-E3/5B SMBZ5920B-M3/52 SMBZ5920B-M3/5B SMBZ5921B-E3/52 SMBZ5921B-E3/5B SMBZ5921B-M3/52 SMBZ5921B-M3/5B SMBZ5924B-E3/52 SMBZ5924B-E3/5B SMBZ5925B-E3/52 SMBZ5925B-E3/5B SMBZ5926B-E3/52 SMBZ5926B-E3/5B SMBZ5926B-M3/52 SMBZ5926B-M3/5B SMBZ5927B-E3/52 SMBZ5927B-E3/5B
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