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ST-R

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  • 封裝
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  • 操作
  • ST-REL3-KG230/21
    ST-REL3-KG230/21

    ST-REL3-KG230/21

  • 深圳市科思奇電子科技有限公司
    深圳市科思奇電子科技有限公司

    聯系人:林小姐/歐陽先生

    電話:0755-832450508278593918923762408微信同號

    地址:深圳市福田區上步工業區501棟1109-1110室

    資質:營業執照

  • 5000

  • NA

  • 20+

  • -
  • 進口原裝現貨

  • ST-R2020
    ST-R2020

    ST-R2020

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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ST-R PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
ST-R 技術參數
  • STQ3NK50ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 500V 500MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 歐姆 @ 1.15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 STQ3N45K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 450V 600MA TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):450V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.8 歐姆 @ 500mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):150pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STQ2NK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):400mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 700mA,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):170pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 STQ2LN60K3-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.6A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):600mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):235pF @ 50V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STQ2HNK60ZR-AP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 0.5A TO-92 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):500mA(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.8 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):280pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1 STR05S3V3 STR05S3V3-TR STR05S6V5 STR-15 STR1550 STR1P2UH7 STR2550 STR2N2VH5 STR2P3LLH6 STR2W152D STR2W153D STR-35 STR3A151 STR3A151D STR3A152 STR3A152D STR3A153 STR3A153D
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