欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網 登錄 | 免費注冊
您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 >

STB120NF10TA

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作

沒找到與 " STB120NF10TA " 相關的供應商

您可以：

1. 縮短或修改您的搜索詞，重新搜索

2. 發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復 發布緊急采購

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STB120NF10TA PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
STB120NF10TA 技術參數
  • STB120NF10T4 功能描述:MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:110A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:233nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5200pF @ 25V 功率 - 最大值:312W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB120N4LF6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB120N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB11NM80T4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:400 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1630pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB11NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:450 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB12NM60N-1 STB13005-1 STB13007DT4 STB130N6F7 STB130NS04ZBT4 STB13N60M2 STB13N80K5 STB13NK60ZT4 STB13NM50N STB13NM50N-1 STB13NM60N STB140N4F6 STB140NF55T4 STB140NF75T4 STB141NF55 STB141NF55-1 STB14N80K5 STB14NK50Z-1
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發布成功！您可以繼續發布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*
配單專家

在采購STB120NF10TA進貨過程中，您使用搜索有什么問題和建議？點此反饋

友情提醒：為規避購買STB120NF10TA產品風險，建議您在購買STB120NF10TA相關產品前務必確認供應商資質及產品質量。

免責聲明：以上所展示的STB120NF10TA信息由會員自行提供，STB120NF10TA內容的真實性、準確性和合法性由發布會員負責。買賣IC網不承擔任何責任。

買賣IC網 (www.cjreal.com) 版權所有?2006-2019
深圳市碩贏互動信息技術有限公司 | 粵公網安備 44030402000118號 | 粵ICP備14064281號
主站蜘蛛池模板： 尼勒克县| 句容市| 方城县| 甘德县| 社旗县| 平昌县| 喀喇沁旗| 连云港市| 昌都县| 旅游| 南木林县| 潼关县| 黄梅县| 吉林省| 堆龙德庆县| 大足县| 定南县| 沧州市| 兴文县| 台山市| 义乌市| 林周县| 任丘市| 衢州市| 泰顺县| 麟游县| 德令哈市| 漳浦县| 任丘市| 呼和浩特市| 子长县| 合江县| 佛山市| 青阳县| 保康县| 广丰县| 交口县| 彰化市| 固原市| 黎平县| 台中市|