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STB5NB80T4G

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STB5NB80T4G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
TO263
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

STB5NB80T4G
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18530
ST
TO263
23+
-
全新原裝正品現貨

STB5NB80T4G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
175
ST
TO263
0912+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共6條
1

您是不是要找： STB5NK50Z-1 STB5NK50ZT4 STB5NK52ZD-1 STB60100CTR STB60N55F3 STB60NE06L-16T4 STB60NF06LT4 STB60NF06T4 STB60NF10-1

STB5NB80T4G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STB5NB80T4G 技術參數

STB5N80K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.75 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB57N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:42A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:63 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4200pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB55NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 27.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB60NF10T4 STB60NH02LT4 STB6N52K3 STB6N60M2 STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5 STB6NK60Z-1 STB6NK60ZT4 STB6NK90ZT4 STB6NM60N STB70N10F4 STB70NF03L-1 STB70NF03LT4 STB70NF3LLT4 STB70NFS03LT4 STB70NH03LT4