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STB6010

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說明
操作

STB6010
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
9865000
EIC
SMB
最新批號
-
一級代理，特價現貨??！100%原裝正品！

STB6010
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
93000
EIC
SMB
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STB60100CTR
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
只做原裝正品歡迎洽談電話010-62...

STB60100CTR
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
SMC
D2PAK
新年份
-
一級代理全新原裝現貨特價！

STB6010
深圳市軒盛達電子有限公司
深圳市軒盛達電子有限公司
聯系人：陳
電話：1588932848313924772445
地址：深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103
10000
-
原廠原裝現貨，代找緊缺料

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制造商
EIC
制造商全稱
EIC discrete Semiconductors
功能描述
SURFACE MOUNT BIDIRECTIONAL TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

STB6010 技術參數

STB5NK52ZD-1 功能描述:MOSFET N-CH 520V 4.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:520V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:16.9nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:529pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STB5NK50ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:28nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:535pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5N80K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 1.50 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.75 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:177pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 4.2A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.6 歐姆 @ 2.1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:26nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:680pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB5N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4.4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.5 歐姆 @ 2.2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:545pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB6N60M2 STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5 STB6NK60Z-1 STB6NK60ZT4 STB6NK90ZT4 STB6NM60N STB70N10F4 STB70NF03L-1 STB70NF03LT4 STB70NF3LLT4 STB70NFS03LT4 STB70NH03LT4 STB75N20 STB75NF20 STB75NF75LT4