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STB75NF75LT4/BKN

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STB75NF75LT4/BKN
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
STMicroel
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STB75NF75LT4/BKN 技術參數

STB75NF75LT4 功能描述:MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:75V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:11 毫歐 @ 37.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:90nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4300pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB75NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3260pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB75N20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 75A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:200V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:34 毫歐 @ 37A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:84nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3260pF @ 25V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-50°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB70NFS03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 STB70NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 70A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:9.5 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:30nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB80N20M5 STB80N4F6AG STB80NE03L-06T4 STB80NF03L-04-1 STB80NF03L-04T4 STB80NF10T4 STB80NF55-06-1 STB80NF55-06T4 STB80NF55-08-1 STB80NF55-08AG STB80NF55-08T4 STB80NF55L-06T4 STB80NF55L-08-1 STB80PF55T4 STB85NF3LLT4 STB85NF55LT4 STB85NF55T4 STB85NS04Z