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STB9NK50ZFP

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價格
說明
操作

STB9NK50ZFP
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業執照
17895
ST
TO-263
2024+
-
代理商庫房現貨

STB9NK50ZFP
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
ST
TO-263/D2-PAK
08/09+
-
百分百原裝正品，質量保障價格及優

1/1頁 40條/頁共9條
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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 500V - 0.72ohm - 7.2A TO-220/TO-220FP/D2PAK Zener-Protected SuperMESH⑩ Power MOSFET

STB9NK50ZFP 技術參數

STB95N4F3 功能描述:MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.8 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:54nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB95N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.2 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2200pF @ 25V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB8NM60T4 功能描述:MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1,000 STB8NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 7A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:650 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:560pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB8NM60D 功能描述:MOSFET N-CH 600V 8A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1 歐姆 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:380pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-65°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STBB2J29-R STBB2J30-R STBB2JAD-R STBB3JCCR STBB3JR STBC02AJR STBC02BJR STBC02JR STBC03JR STBC08PMR STBC21FTR STBCFG01JR STBP110CVDJ6F STBP110ETDJ6F STBP110GTDJ6F STBP112CVDJ6F STBP120AVDK6F STBP120BVDK6F