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STD250WHT

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  • 型號
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  • STD250WHT
    STD250WHT

    STD250WHT

  • 深圳市興合盛科技發展有限公司
    深圳市興合盛科技發展有限公司

    聯系人:銷售部經理:馬先生

    電話:0755-8335078918923859456

    地址:深圳市福田區華強北上步工業區8棟829/北京市海淀區中關村中銀街168-9號/香港辦事處:香港大理石

    資質:營業執照

  • 3564

  • VCC

  • 標準封裝

  • 23+

  • -
  • 真實的資源竭誠服務您!

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STD250WHT PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • LED 電路板指示器 WHITE STANDOFF
  • RoHS
  • 制造商
  • Lumex
  • LED 大小
  • 3 mm
  • 照明顏色
  • Green
  • 波長
  • 565 nm
  • 光強度
  • 30 mcd
  • 安裝類型
  • SMD/SMT
  • 顯示角
  • 60 deg
  • 封裝
  • Reel
STD250WHT 技術參數
  • STD22NM20NT4 功能描述:MOSFET N-CH 200V 22A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):22A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):105 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):800pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD20NF20 功能描述:MOSFET N-CH 200V 18A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):18A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):125 毫歐 @ 10A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):39nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):940pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD20NF06T4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):690pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD20NF06LT4 功能描述:MOSFET N-CH 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):40 毫歐 @ 12A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):660pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD20NF06LAG 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):24A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V Vgs(最大值):- FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):- 工作溫度:- 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 標準包裝:1 STD2805T4 STD28P3LLH6AG STD2HNK60Z STD2HNK60Z-1 STD2LN60K3 STD2N105K5 STD2N62K3 STD2N80K5 STD2N95K5 STD2NC45-1 STD2NK100Z STD2NK60Z-1 STD2NK70Z-1 STD2NK70ZT4 STD2NK90Z-1 STD2NK90ZT4 STD2NM60T4 STD30N10F7
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