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STD4NF04LST

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STD4NF04LST
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
TO-223
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STD4NF04LST
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
50000
TO-223
假一賠十！！
-
絕對原裝現貨！

STD4NF04LST
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
50000
TO-223
08+
-
絕對公司原裝現貨

STD4NF04LST
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
標準封裝
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

STD4NF04LST
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
223
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

STD4NF04LST
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
3000
原廠品牌
223
07/08+
-
全新原裝100%正品保證質量

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STD4NF04LST 技術參數

STD4N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:5.3nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:173pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.1 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 STD4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STD4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:2nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:334pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:DPAK 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 標準包裝:1 STD4NS25T4 STD50N03L STD50N03L-1 STD50NH02L-1 STD50NH02LT4 STD5100CTR STD5100TR STD5150TR STD5200TR STD52P3LLH6 STD5406NT4G STD5406NT4G-VF01 STD5407NNT4G STD5407NT4G STD55N4F5 STD55NH2LLT4 STD5N20LT4 STD5N20T4