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STD50NH02LT4LF

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    STD50NH02LT4LF

    STD50NH02LT4LF

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:譚玉麗

    電話:19129491949(手機優先微信同號)0755-83267816

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 5000

  • STM

  • ROHS

  • 13+

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STD50NH02LT4LF 技術參數
  • STD50NH02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD50NH02L-1 功能描述:MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):24V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA 供應商器件封裝:I-Pak 標準包裝:3,000 STD50N03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 40A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):40A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10.5 毫歐 @ 20A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):14nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1434pF @ 25V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4NS25T4 功能描述:MOSFET N-CH 250V 4A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):250V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):355pF @ 25V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD4NK80ZT4 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):22.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):575pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STD55N4F5 STD55NH2LLT4 STD5N20LT4 STD5N20T4 STD5N52K3 STD5N52U STD5N60DM2 STD5N60M2 STD5N62K3 STD5N80K5 STD5N95K3 STD5N95K5 STD5NK40Z-1 STD5NK40ZT4 STD5NK50Z-1 STD5NK50ZT4 STD5NK52ZD STD5NK52ZD-1
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