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STF8.

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STF8. PDF下載

制造商
IMO Precision Controls Ltd
功能描述
TIMER OFF-DELAY 24VAC/DC

STF8. 技術(shù)參數(shù)

STF7NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:25W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 4.7A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-5 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:400pF @ 50V 功率 - 最大值:20W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7N95K3 功能描述:MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:950V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:1.35 歐姆 @ 3.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1031pF @ 100V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF7N90K5 功能描述:N-CHANNEL 800 V, 0.5 OHM TYP., 7 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道技術(shù):MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:7A（Tc）驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA Vgs（最大值）:±30V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:- 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 封裝/外殼:TO-220-3 整包標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STF8NM50N STF8NM60N STF8NM60ND STF9HN65M2 STF9N60M2 STF9N65M2 STF9N80K5 STF9NK60ZD STF9NK80Z STF9NK90Z STF9NM50N STF9NM60N STFH10N60M2 STFH13N60M2 STFH18N60M2 STFH24N60M2 STFI10LN80K5 STFI10N62K3