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STG025M5

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STG025M5
    STG025M5

    STG025M5

  • 北京首天偉業(yè)科技有限公司
    北京首天偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • TE Connectivity Aerospace

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
STG025M5 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 集管和線殼 STG025M5 = THRU-HOLE
  • RoHS
  • 產(chǎn)品種類
  • 1.0MM Rectangular Connectors
  • 產(chǎn)品類型
  • Headers - Pin Strip
  • 系列
  • DF50
  • 觸點類型
  • Pin (Male)
  • 節(jié)距
  • 1 mm
  • 位置/觸點數(shù)量
  • 16
  • 排數(shù)
  • 1
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 安裝角
  • Right
  • 端接類型
  • Solder
  • 外殼材料
  • Liquid Crystal Polymer (LCP)
  • 觸點材料
  • Brass
  • 觸點電鍍
  • Gold
  • 制造商
  • Hirose Connector
STG025M5 技術(shù)參數(shù)
  • STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 29A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):139nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STG03711378PCN STG03711378SCN STG037B5N STG037L2AQ STG037L2HN STG037M5CN STG037M6HN STG037PC2DC006N STG037PC2DNC70N STG037SC2DC006N STG037SC2DC036N STG037SC2DNC70N STG037SC2DX008 STG051B5N STG051L2AQ STG051L5HN STG051M6HN STG051T2
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