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STG2001

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  • 封裝
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  • 說明
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  • STG2001
    STG2001

    STG2001

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 18530

  • SAMSUNG

  • PLCC

  • 24+

  • -
  • 全新原裝正品現貨

  • STG2001
    STG2001

    STG2001

  • 深圳市特瑞斯科技有限公司
    深圳市特瑞斯科技有限公司

    聯系人:李先生

    電話:0755-8277481983249326

    地址:銷售一部:華強北上步工業區501棟401室 銷售二部:深圳市福田區紅荔路上航大廈411室

    資質:營業執照

  • 19600

  • SAMSUNG

  • PLCC

  • 20+

  • -
  • ★★一級分銷商,正品

  • STG2001
    STG2001

    STG2001

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • CML

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝正品現貨!

  • STG2001
    STG2001

    STG2001

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 500

  • SAMSUNG

  • PLCC

  • 02+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共35條 
  • 1
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STG2001 技術參數
  • STFW6N120K3 功能描述:MOSFET N-CH 1200V 3.8A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.4 歐姆 @ 2.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1050pF @ 100V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW69N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):58A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):45 毫歐 @ 29A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):143nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6420pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW60N65M5 功能描述:MOSFET N-CH TO-3PF/ISOWATT 218 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):46A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):59 毫歐 @ 23A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):139nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6810pF @ 100V 功率 - 最大值:79W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1300pF @ 25V 功率 - 最大值:63W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STFW45N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 35A TO-3PF 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):35A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):78 毫歐 @ 17.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):82nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3470pF @ 100V 功率 - 最大值:57W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-3P-3 整包 供應商器件封裝:TO-3PF 標準包裝:30 STG3684AQTR STG3684AUTR STG3684QTR STG3689DTR STG3690QTR STG3692QTR STG3693QTR STG3696EQTR STG3699ADWF STG3699AQTR STG3699AUTR STG3699BVTR STG3699QTR STG3820BJR STG3856QTR STG3P2M10N60B STG4158BJR STG4159BJR
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