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STGD7NB120ST4

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STGD7NB120ST4
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
DPAK
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！

STGD7NB120ST4
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
23009
ST/意法
DPAK
22+
-

STGD7NB120ST4
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
ST
DPAK
22+
-
十年配單，只做原裝

STGD7NB120ST4
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
D-Pak
18+
-
IGBT 1200V 10A 55W ...

STGD7NB120ST4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
D-Pak
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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功能描述
IGBT 晶體管 N-Channel 7A-1200V IPAK PowerMESH IGBT
RoHS
否
制造商
Fairchild Semiconductor
配置
集電極—發射極最大電壓 VCEO
650 V
集電極—射極飽和電壓
2.3 V
柵極/發射極最大電壓
20 V
在25 C的連續集電極電流
150 A
柵極—射極漏泄電流
400 nA
功率耗散
187 W
最大工作溫度
封裝 / 箱體
TO-247
封裝
Tube

STGD7NB120ST4 技術參數

STGD6NC60HT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD6NC60HDT4 功能描述:IGBT 600V 15A 56W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:56W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:21ns 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGD6NC60H-1 功能描述:IGBT N-CH 600V 7A IPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):21A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，3A 功率 - 最大值:62.5W 開關能量:20μJ（開），68μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:13.6nC 25°C 時 Td（開/關）值:12ns/76ns 測試條件:390V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:IPAK（TO-251）標準包裝:75 STGD6M65DF2 功能描述:IGBT Trench Field Stop 650V 12A 88W Surface Mount DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:M 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:12A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，6A 功率 - 最大值:88W 開關能量:36μJ（開），200μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:21.2nC 25°C 時 Td（開/關）值:15ns/90ns 測試條件:400V，6A，22 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:140ns 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應商器件封裝:DPAK 標準包裝:1 STGD5NB120SZT4 功能描述:IGBT 1200V 10A 75W DPAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):10A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2V @ 15V，5A 功率 - 最大值:75W 開關能量:2.59mJ（開），9mJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:- 25°C 時 Td（開/關）值:690ns/12.1μs 測試條件:960V，5A，1 千歐，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D-Pak 標準包裝:1 STGE50NB60HD STGE50NC60VD STGE50NC60WD STGF10H60DF STGF10M65DF2 STGF10NB60SD STGF10NC60HD STGF10NC60KD STGF10NC60SD STGF12NB60KD STGF14N60D STGF14NC60KD STGF15H60DF STGF15M65DF2 STGF17NC60SD STGF19NC60HD STGF19NC60KD STGF19NC60WD