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STI-113

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STI-113 技術(shù)參數(shù)
  • STI10NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):550 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):19nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):540pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STI10N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 8.4A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 4A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):42nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1250pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:I2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STHVDAC-256MTGF3 功能描述:DAC 7 bit Serial 20-Flip-Chip 制造商:stmicroelectronics 系列:* 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:DAC 分辨率(位):7 b 采樣率(每秒):- 數(shù)據(jù)接口:串行 電壓源:模擬和數(shù)字 電壓 - 電源:1.65 V ~ 1.95 V, 2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:20-UFBGA,F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商器件封裝:20-倒裝芯片 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STHVDAC-253MTGF3 功能描述:DAC 7 bit SPI 16-Flipchip (1.7x1.7) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 類型:DAC 分辨率(位):7 b 采樣率(每秒):- 數(shù)據(jù)接口:SPI 電壓源:模擬和數(shù)字 電壓 - 電源:2.3 V ~ 5 V 工作溫度:-30°C ~ 85°C 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:16-UFBGA,F(xiàn)CBGA 供應(yīng)商器件封裝:16-覆晶(1.7x1.7) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STHV800L 功能描述:Ultrasound Pulser IC Ultrasound Imaging 56-TFLGA (8x8) 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:托盤 零件狀態(tài):有效 類型:超聲脈沖發(fā)生器 應(yīng)用:超聲波成像 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:56-VFLGA 供應(yīng)商器件封裝:56-TFLGA(8x8) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:260 STI1270A STI12N65M5 STI12NM50N STI13005-1 STI13NM60N STI14NM50N STI14NM65N STI150N10F7 STI15NM60N STI15NM60ND STI16N65M5 STI16NM50N STI175N4F6AG STI17NF25 STI18N60M2 STI18N65M2 STI18N65M5 STI18NM60N
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