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STI5514AWD

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STI5514AWDL
現(xiàn)貨
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
38000
ST
BGA
1723+
-
★★原盒原裝原標簽，現(xiàn)貨庫存商★★

STI5514AWDL
現(xiàn)貨
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：何芝
電話：19129491934(手機優(yōu)先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
38000
ST
BGA
1723+
-
★★原盒原裝原標簽，現(xiàn)貨庫存商★★

STI5514AWDL
現(xiàn)貨
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：譚玉麗
電話：19129491949(手機優(yōu)先微信同號)0755-83267816
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
38000
ST
BGA
1723+
-
★★原盒原裝原標簽，現(xiàn)貨庫存商★★

STI5514AWD
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
深圳市藍山航業(yè)電子科技有限公司
聯(lián)系人：陳偉
電話：0755-83979745
地址：新亞洲二期N2A090
500000
ST
22+
-
行業(yè)低價，代理渠道

STI5514AWDL
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯(lián)系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
865000
STMICROELECTRONICSSEMI
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現(xiàn)貨！！

STI5514AWD
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯(lián)系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
BGA35X35
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STI5514AWDL
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
北京元坤偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
ST
全新原裝正品
07＋
-
假一罰十，百分百原裝正品

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1

您是不是要找： STI55NF03L STI57N65M5 STI5N52U STI6N62K3 STI6N80K5 STI6N90K5 STI76NF75 STI8N65M5 STI90N4F3

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STI5514AWD 技術參數(shù)

STI4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:550pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI45N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 45A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:45A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:18 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:25nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1640pF @ 50V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）標準包裝:50 STI42N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:33A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:79 毫歐 @ 16.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4650pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI40N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 32A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:32A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:99 毫歐 @ 16A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2355pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI400N4F6 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.7 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:377nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:20000pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK（TO-262）標準包裝:50 STICE-SYS001 STIDMW830042112AAA STIDMW830082112AAA STIDMW830112112AAA STIDMW840042112AAA STIDMW840082112AAA STIDMW840112112AAA STIEC45-24ACS STIEC45-24AS STIEC45-26ACS STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS STIEC45-33ACS STIEC45-33AS

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