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STICE-SYS001

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STICE-SYS001
    STICE-SYS001

    STICE-SYS001

    現(xiàn)貨
  • 集好芯城
    集好芯城

    聯(lián)系人:陳先生13360533550

    電話:0755-838679890755-82795565

    地址:深圳公司:深圳市福田區(qū)華富路航都大廈11F

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 10000

  • ST/意法

  • NA

  • 22+

  • -
  • 原廠原裝現(xiàn)貨

  • STICE-SYS001
    STICE-SYS001

    STICE-SYS001

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:曹先生/周小姐/高先生

    電話:134878658521376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 15972

  • STMicroelectronics

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • STICE-SYS001
    STICE-SYS001

    STICE-SYS001

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • STMicroelectronics

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 百分百原裝 假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
STICE-SYS001 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 仿真器/模擬器 4th Gen Full Featured Emulator
  • RoHS
  • 制造商
  • Blackhawk
  • 產(chǎn)品
  • System Trace Emulators
  • 工具用于評估
  • C6000, C5000, C2000, OMAP, DAVINCI, SITARA, TMS470, TMS570, ARM 7/9, ARM Cortex A8/R4/M3
  • 用于
  • XDS560v2
STICE-SYS001 技術參數(shù)
  • STI8N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):650V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):690pF @ 100V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI76NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 80A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):11 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI6N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 2.1 OHM TYP., 3 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):6A(Tc) 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA Vgs(最大值):±30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):110W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.1 歐姆 @ 3A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:I2PAK 封裝/外殼:TO-262-3 整包,I2Pak 標準包裝:50 STI6N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):4.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.6 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):255pF @ 100V 功率 - 最大值:85W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STI6N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):5.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 2.8A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):875pF @ 50V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA 供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STIEC45-26AS STIEC45-27AS STIEC45-28ACS STIEC45-28AS STIEC45-30ACS STIEC45-30AS STIEC45-33ACS STIEC45-33AS STIFP218735N024KOR STIFP218740N024KOR STIFP218745N024KOR STIFP218750N024KOR STIK STIL02-P5 STIL04-P5 STIL04-T5 STIL06-T5/R STIL08-T5
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