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STP10NK80Z/ZFP

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STP10NK80Z/ZFP 技術(shù)參數(shù)
  • STP10NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 9A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):9A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):900 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):72nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2180pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP10NK70ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP10NK70Z 功能描述:MOSFET N-CH 700V 8.6A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過(guò)期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):700V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):8.6A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):850 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):90nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2000pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP10NK60ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1370pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝:TO-220FP 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP10NK60Z 功能描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):750 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):70nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1370pF @ 25V 功率 - 最大值:115W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP110N8F6 STP110N8F7 STP11N52K3 STP11N60DM2 STP11N65M2 STP11N65M5 STP11NK40Z STP11NK40ZFP STP11NK50Z STP11NK50ZFP STP11NM50N STP11NM60 STP11NM60A STP11NM60FD STP11NM60FDFP STP11NM60FP STP11NM60N STP11NM60ND
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