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STP1413S32RG

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    STP1413S32RG

    STP1413S32RG

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • Stansontech

  • SOT323

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  • STP1413S32RG
    STP1413S32RG

    STP1413S32RG

  • 深圳市軒盛達電子有限公司
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    地址:深圳市福田區華強北街道深南中路3006號佳和華強大廈五樓5C103

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STP1413S32RG 技術參數
  • STP140NF75 功能描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):7.5 毫歐 @ 70A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):218nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5000pF @ 25V 功率 - 最大值:310W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP140NF55 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):142nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5300pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP140N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 90A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? VII 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):90A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.3 毫歐 @ 45A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):96nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6340pF @ 40V 功率 - 最大值:200W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP140N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A F7 TO220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 毫歐 @ 40A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):55nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3100pF @ 10V 功率 - 最大值:158W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP13NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):380 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):24.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):845pF @ 50V 功率 - 最大值:109W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP14NM50N STP14NM65N STP150N10F7 STP150N3LLH6 STP150NF04 STP150NF55 STP15N60M2-EP STP15N65M5 STP15N80K5 STP15N95K5 STP15NK50Z STP15NK50ZFP STP15NM60N STP15NM60ND STP15NM65N STP160N3LL STP160N4LF6 STP160N75F3
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