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STP2NC60FSTP

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  • STP2NC60FSTP
    STP2NC60FSTP

    STP2NC60FSTP

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯(lián)系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道荔村社區(qū)振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質(zhì):營業(yè)執(zhí)照

  • 6000

  • ST

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共3條 
  • 1
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STP2NC60FSTP 技術(shù)參數(shù)
  • STP2N95K5 功能描述:MOSFET N-CH 950V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):950V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):105pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):4.5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):3nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):95pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP2N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):2.2A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):3.6 歐姆 @ 1.1A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):15nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):340pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP2N105K5 功能描述:MOSFET N-CH 1050V 1.5A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):1050V(1.05kV) 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):1.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):8 歐姆 @ 750mA, 10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):10nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):115pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):600V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):23A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):150 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):62.5nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2090pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP30NM30N STP30NM50N STP30NM60N STP30NM60ND STP310N10F7 STP315N10F7 STP31N65M5 STP32N65M5 STP32NM50N STP33N60DM2 STP33N60M2 STP33N65M2 STP34N65M5 STP34NM60N STP34NM60ND STP35N60DM2 STP35N65M5 STP35NF10
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