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STP3NC60FSTP

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  • STP3NC60FSTP
    STP3NC60FSTP

    STP3NC60FSTP

  • 深圳市琦凌凱科技有限公司
    深圳市琦凌凱科技有限公司

    聯系人:彭先生

    電話:1331648214918276240346

    地址:深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28

    資質:營業執照

  • 6000

  • ST

  • TO-220F

  • 22+

  • -
  • 十年配單,只做原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
STP3NC60FSTP PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STP3NC60FSTP 技術參數
  • STP3NB100 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 3A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):700pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.5 歐姆 @ 1A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):9.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):130pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP3N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 2.7A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):620V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.7A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.4A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):13nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):385pF @ 25V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1500V(1.5kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.5A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9 歐姆 @ 1.3A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29.3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):939pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP3LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 2A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):2.63nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):102pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):45W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.25 歐姆 @ 1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 STP40N60M2 STP40N65M2 STP40NF03L STP40NF10 STP40NF10L STP40NF12 STP40NF20 STP40NS15 STP410N4F7AG STP42N60M2-EP STP42N65M5 STP43N60DM2 STP45N10F7 STP45N40DM2AG STP45N60DM2AG STP45N65M5 STP45NE06 STP45NF06
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