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STP4N80ZFP

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價格
說明
操作

STP4N80ZFP
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
TO220
最新批號
-
一級代理，原裝正品現貨！！

STP4N80ZFP
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
19107
ST/意法
TO220ABNONISOL
22+
-

STP4N80ZFP
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
ST
TO-220
22+
-
十年配單，只做原裝

1/1頁 40條/頁共7條
1

您是不是要找： STP4N90K5 STP4NB100 STP4NB50 STP4NB80 STP4NK50Z STP4NK50ZD STP4NK50ZFP STP4NK60Z STP4NK60ZFP

STP4N80ZFP PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP4N80ZFP 技術參數

STP4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 歐姆 @ 1.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:175pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP4N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3.8A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.95 歐姆 @ 1.9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:450pF @ 50V 功率 - 最大值:70W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP4N52K3 功能描述:MOSFET N-CH 525V 2.5A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:525V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:11nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:334pF @ 100V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP4N150 功能描述:MOSFET N-CH 1500V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:1500V（1.5kV）電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:4A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:7 歐姆 @ 2A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1300pF @ 25V 功率 - 最大值:160W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4LN80K5 功能描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:3.7nC @ 10V Vgs（最大值）:±30V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:122pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 歐姆 @ 1A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:1,000 STP4NK80Z STP4NK80ZFP STP50NE08 STP50NE10 STP50NF25 STP52N25M5 STP52P3LLH6 STP55NF06 STP55NF06FP STP55NF06L STP57N65M5 STP5N105K5 STP5N120 STP5N52K3 STP5N60M2 STP5N62K3 STP5N80K5 STP5N95K3