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STP4NC60AFP

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  • 封裝
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  • 說明
  • 操作
  • STP4NC60AFP
    STP4NC60AFP

    STP4NC60AFP

  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
    深圳市佳斯泰科技有限公司

    聯系人:廖小姐

    電話:13410012158

    地址:廣東省深圳市福田區華強北上航大廈西座四層

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 10+

  • -
  • 原裝現貨優勢庫存

  • STP4NC60AFP
    STP4NC60AFP

    STP4NC60AFP

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-220F

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • STP4NC60AFP
    STP4NC60AFP

    STP4NC60AFP

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-220F

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • STP4NC60AFP
    STP4NC60AFP

    STP4NC60AFP

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • NULL

  • NULL

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • STP4NC60AFP
    STP4NC60AFP

    STP4NC60AFP

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 5000

  • ST

  • TO-220F

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • 1/1頁 40條/頁 共20條 
  • 1
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  • 制造商
  • STMICROELECTRONICS
  • 制造商全稱
  • STMicroelectronics
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 600V - 1.8ohm - 4.2A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMesh⑩II MOSFET
STP4NC60AFP 技術參數
  • STP4NB80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.3 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):920pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4NB50 功能描述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):500V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 歐姆 @ 1.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4NB100 功能描述:MOSFET N-CH 1KV 3.8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):1000V(1kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3.8A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 歐姆 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1400pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP4N90K5 功能描述:N-CHANNEL 900 V, 0.25 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:管件 零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):900V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):5.3nC @ 10V Vgs(最大值):±30V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):173pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.1 歐姆 @ 1A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 供應商器件封裝:TO-220 封裝/外殼:TO-220-3 標準包裝:50 STP4N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):800V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 歐姆 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):10.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):175pF @ 100V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP50NF25 STP52N25M5 STP52P3LLH6 STP55NF06 STP55NF06FP STP55NF06L STP57N65M5 STP5N105K5 STP5N120 STP5N52K3 STP5N60M2 STP5N62K3 STP5N80K5 STP5N95K3 STP5N95K5 STP5NB40 STP5NB60 STP5NK100Z
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