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STP6635GH.

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操作

STP6635GH.
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
18530
S
TO-251
23+
-
全新原裝正品現貨

STP6635GH.
深圳市澳億芯電子科技有限公司
深圳市澳億芯電子科技有限公司
聯系人：李先生
電話：13760200702
地址：深圳市龍崗區坂田街道五和大道山海商業廣場C棟706
資質：營業執照
31023
S
TO-251
假一賠十！
-
絕對原裝現貨！！

STP6635GH.
深圳市琦凌凱科技有限公司
深圳市琦凌凱科技有限公司
聯系人：彭先生
電話：1331648214918276240346
地址：深圳市福田區華強北街道荔村社區振興路120號賽格科技園4棟中10層10A28
資質：營業執照
6000
S
TO-251
22+
-
十年配單，只做原裝

1/1頁 40條/頁共7條
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您是不是要找： STP6C0.2M STP6C0.2MBL STP6C0.2MBU STP6C0.2MGR STP6C0.2MGY STP6C0.2MIG STP6C0.2MRD STP6C0.2MYL STP6C0.5M

STP6635GH. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP6635GH. 技術參數

STP65NF06 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:75nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP62NS04Z 功能描述:MOSFET N-CH 33V 62A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MESH OVERLAY?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:33V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:62A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1330pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP60NF10 功能描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:23 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:104nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4270pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP60NF06L 功能描述:MOSFET N-CH 60V 60A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2000pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-65°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP60NF06FP 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:16 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP6C0.5MBL STP6C0.5MBU STP6C0.5MGR STP6C0.5MGY STP6C0.5MIG STP6C0.5MRD STP6C0.5MYL STP6C1.5M STP6C1.5MBL STP6C1.5MBU STP6C1.5MGR STP6C1.5MGY STP6C1.5MIG STP6C1.5MRD STP6C1.5MYL STP6C10M STP6C10MBL STP6C10MBU