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STP8040LFBL

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型號
供應商
數量
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封裝
批號
價格
說明
操作

STP8040LFBL
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
ONS
2008+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STP8040LFBL
深圳市金嘉旭貿易有限公司
深圳市金嘉旭貿易有限公司
聯系人：金
電話：0755-832599640755-23884416
地址：中航北苑A座7A5
2982
OnSemi
N/A
18+
-
進口原裝特價出售

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1

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制造商
ONSEMI
功能描述
IC
制造商
ON Semiconductor
功能描述

STP8040LFBL 技術參數

STP7NM80 功能描述:MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:6.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.05 歐姆 @ 3.25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:18nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:620pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP7NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO-220AB 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:900 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:363pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP7NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:780 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:400pF @ 50V 功率 - 最大值:45W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP7NK80ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP7NK80Z 功能描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:5.2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.8 歐姆 @ 2.6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:56nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1138pF @ 25V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP80NF10 STP80NF10FP STP80NF12 STP80NF55 STP80NF55-06 STP80NF55-06FP STP80NF55-08 STP80NF55-08AG STP80NF55L-06 STP80NF70 STP80PF55 STP85N3LH5 STP85NF55 STP85NF55L STP8N65M5 STP8N80K5 STP8N90K5 STP8NK100Z