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STSP2030

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STSP2030 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STSP2030 技術參數

STSMIA832TBR 功能描述:串行器/解串器 - Serdes 1.8V/2.8V High speed Dual Diff Line Recvr RoHS:否制造商:Texas Instruments 類型:Deserializer 數據速率:1.485 Gbit/s 輸入類型:ECL/LVDS 輸出類型:LVCMOS 輸入端數量:1 輸出端數量:20 工作電源電壓:2.375 V to 2.625 V 工作溫度范圍:0 C to + 70 C 封裝 / 箱體:TQFP-64 STSJ60NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 15A 8-PWRSOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:60A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.7 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:24nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1810pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-SOIC-EP 標準包裝:1 STSJ50NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8-PWRSOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.5 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:965pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-SOIC 標準包裝:1 STSJ100NH3LL 功能描述:MOSFET N-CH 30V 25A PWRSOIC-8 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3.5 毫歐 @ 12.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4450pF @ 25V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）裸焊盤供應商器件封裝:8-SOIC-EP 標準包裝:1 STSC1 功能描述:HIGH ACCURACY DIGITAL TEMP SENSO 制造商:sensirion ag 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效傳感器類型:數字，本地檢測溫度 - 本地:-40°C ~ 125°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:1.62 V ~ 1.98 V 分辨率:- 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 測試條件:-40°C ~ 125°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:4-VFDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:4-DFN-EP（2x2）標準包裝:1 ST-SS STT0001 STT0019 STT-101 STT-102 STT-103 STT-104 STT-105 STT-106 STT-107 STT-108 STT-109 STT-110 STT-111 STT-112 STT13005 STT13005D STT13005D-K