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STT60GK16B

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  • STT60GK16B
    STT60GK16B

    STT60GK16B

  • 深圳市晶美隆科技有限公司
    深圳市晶美隆科技有限公司

    聯系人:李林

    電話:0755-8251939113714584659李先生(可開13%增票,3

    地址:深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09

    資質:營業執照

  • 18530

  • 模塊

  • 24+

  • -
  • 全新原裝正品現貨

  • STT60GK16B
    STT60GK16B

    STT60GK16B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8500

  • ST

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 代理此型號,原裝特價現貨!!

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
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  • 制造商
  • SIRECT
  • 制造商全稱
  • Sirectifier Global Corp.
  • 功能描述
  • Thyristor-Thyristor Modules
STT60GK16B 技術參數
  • STT5N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):- 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):30 毫歐 @ 2A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA(最小) 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):367pF @ 16V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4PF20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 3A SOT-23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.7V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):110 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):500pF @ 15V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT4P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?,STripFET? H6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):4A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):56 毫歐 @ 2A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):6nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):639pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT3PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):2.4A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):165 毫歐 @ 1.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):420pF @ 25V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STT3P2UH7 功能描述:MOSFET P-CH 30V 3A SOT23-6 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):3A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):100 毫歐 @ 1.5A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):4.8nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):510pF @ 10V 功率 - 最大值:1.6W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-6 供應商器件封裝:SOT-23-6 標準包裝:1 STTA1212D STTA1512PIRG STTA2006P STTA2006PI STTA2006PIRG STTA212S STTA2512P STTA3006CW STTA3006P STTA3006PIRG STTA306B-TR STTA312B STTA406 STTA406RL STTA506B STTA506B-TR STTA506D STTA512B
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